L-PAMiD是 5G 射频前端的高集成度方案，简化研发与生产，能节省更大的布板面积。同时它还能通过自屏蔽技术避免电磁兼容和互扰问题，大幅减少分立元件调试匹配的时间，缩短终端研发周期。全部电路在器件内部匹配，具有更好的射频性能。